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BC858C-7-F中文资料

BC858C-7-F图片

BC858C-7-F外观图

  • 大小：269.83KB
  • 厂家：DIODES
  • 描述：Diodes Incorporated [PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR]
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：15nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：420 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：300mW
  • 频率 - 转换：200MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3
  • 包装：带卷 (TR)

BC858C-7-F供应商

更新时间:2023-01-05 12:31:57
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